MOSFET notları

•  Mosfetin "Gate" ucuna uygulanan voltaj datasheetinde yazan ideal değer olmalıdır(genellikle 10V). İdeal voltaj değerinde "Drain" ile "Source" arasındaki direnç(kanal direnci) en düşük seviyededir. Mosfetin Gate ucu 3V, 5V gibi değerler ile de tetiklenebilir. Ancak düşük voltajlarda "Drain" ile "Source" arasındaki direnç(kanal direnci) yüksektir. Yüksek Rdson direnci MOSFET'in ısınmasına sebep olur. 
• Açma-Kapama anında Mosfet'in Gate ile Source pinleri arasında bir kapasitör varmış gibi düşünmek lazım.Gate pinine verdiğimiz 10V sinyal kestiğimiz anda Vgs hemen 0V'a düşmüyor maalesef. Kapasitif etkiden dolayı, voltaj yavaş yavaş düşüyor. Bu da kanalın açık kalmasına sebep oluyor. Yani "Drain-Source" arası akım akmaya devam ediyor. Ayrıca Vgs gerilimi de 10V'dan yavaş yavaş düştüğü için bu boşalma anında Rdson direnci yükseliyor, MOSFET ısınıyor. Bu kapasitif etkiyi deşarj edebiliriz ancak Mosfet'te Gate direnci var. Bu direnç bizim Vgs'yi hangi hızla boşaltabileceğimizi belirler. Gate direnci büyüdükçe Vgs boşaltım hızı yavaşlar.